Node MCU8266 使用Arduino进行开发 读取DHT11的温湿度 DHT11温湿度传感器初识展示一般从往上买的的DHT11有以上两种的方式，第一种是带电路板的，第二种就只有个蓝壳子，而且少了一个阵脚，从电路层面来说，第一种是自带了10K的上拉电阻，当然也可能是别的阻值，datasheet上推荐4.7k。数据手册 （datasheet） 点击此处使用方式Arduino 读取目前我使用了NodeMcu 8266+ arduino 进行了温湿度读取，这个比较简单，因为Mcu和DHT11交互的方法都写在库里了，调用一下库里的方法就可以了，导致学了好像没学一样。Mcu pin脚直读后来，为了追求最本质的目的，我又找了资料，查了上方的datasheet，说人话就是数据手册，说明书，发现此传感器的读取方式很灵动，单总线的限制吧估计，见下方（还未实验，后面单片到了之后会实验一下，再写一篇详细的）。Arduino读取实例配置环境Arduino Esp 8266NodeMcu 开发环境搭建上一个文章已经写了（ 在这里 ）；配置好之后，需要安装DHT11的库（DHT sensor library）这个库中包含多个型号的DHT的温度传感器的操作和数据解析方式。项目> 加载库 > 管理库 > 搜索 DHT sensor library连接线DHT11上标有（+或VCC）引脚的连接nodemcu的+ 3V引脚。DHT11上标有（S或OUT）引脚的连接nodemcu的D4V引脚（如果是四针的话，这个就是要连DATA脚，NC脚空着不连）。DHT11上标有（-或GND）引脚的连接nodemcu的GND引脚。代码编程//引入DHT库 #include "DHT.h" //定义pin脚为2号，对应的是D4号引脚 #define DHTPIN 2 // Digital pin connected to the DHT sensor //这里要选定自己的DHT的传感器类型 #define DHTTYPE DHT11 // DHT 11 (AM2302), AM2321 DHT dht(DHTPIN, DHTTYPE); void setup() { //串口的波特率设定（和Arduino沟通的波特率,是调试的时候，8266向arduino主动连接的时候的波特率，而不是arduino连接8266下发程序的波特率） Serial.begin(9600); Serial.println(F("DHTxx test!")); //连接传感器 dht.begin(); } void loop() { // 5秒读取一次 delay(5000); // Reading temperature or humidity takes about 250 milliseconds! // Sensor readings may also be up to 2 seconds 'old' (its a very slow sensor) //读取湿度 float h = dht.readHumidity(); // Read temperature as Celsius (the default) //读取温度，摄氏度 float t = dht.readTemperature(); // Read temperature as Fahrenheit (isFahrenheit = true) //读取温度，华氏温度 float f = dht.readTemperature(true); // Check if any reads failed and exit early (to try again). if (isnan(h) || isnan(t) || isnan(f)) { Serial.println(F("Failed to read from DHT sensor!")); return; } //串口打印获取到的数据 Serial.print(F("Humidity: ")); Serial.print(h); Serial.print(F("% Temperature: ")); Serial.print(t); Serial.print(F("°C ")); Serial.print(f); }结果展示打开 Arduino 的 工具>串口监视器即可查看到如下信息

Node MCU8266 使用Arduino进行开发 说明NodeMcu 8266可以使用C语言进行开发，当然也可以通过刷固件的方式，使用Lua或者是Python进行开发。Arduino IDE据说挺好用、、我还没用过，据说可以支持NodeMCU开发，所以这次就用它来搞一下。安装Arduino IDEArduino 官网 安装就是点击后直接下一步就行了；配置Board Manger添加地址http://arduino.esp8266.com/stable/package_esp8266com_index.json设置开发板这里我是已经安装好了，所以右下方没有安装按钮了，这里的步骤是先输入查找到esp8266库，然后安装上此开发板的库，然后确定。切换开发板第一步是切换开发板，切换到8266的开发板库上；第二部是配置端口和波特率。测试程序在文件->模板->basics->Blink（LED闪烁模板程序）上传程序效果展示

NodeMCU 8266 固件刷入 基础准备：1：node mcu 8266 开发板一个；2：有数据传输功能的安卓数据线一条（这个新手可能容易忽略）；3：电脑一台；4：电脑安装usb串口驱动（CH340驱动或者是CP2102，这个取决于你买的开发板上的串口芯片，如果不清楚可以问下卖家）；5：固件准备 安信可固件下载（多种固件） 6：刷固件所需要的软件 ESP FLASH TOOL 下载 8：串口调试助手 通讯猫（我比较常用和喜欢的一个小工具）开刷安装驱动我的开发板是CH340串口模块，所以我安装了CH340驱动软件（这个百度自己找下就行）连接开发板在设备管理器中看串口的菜单下的串口情况。可以右键我的电脑图标，然后点击管理就会进入到这里。下载软件下载安信可官网中的固件（推荐使用 出厂默认 AT 固件 如果有需要选择自己所需的固件）下载ESP FLASH TOOL下载通讯猫操作1：选择自己下载的固件，记得要解压压缩包；2：把选择的那个条目前面打勾，代表这个是需要刷入的；3：选择写入地址，这个对应如图4、5选择写入的配置；6：缓存的大小（我试了下，我的开发板是32M的，但是可以用8M的方式写入。尽量根据自己的开发板来选择）；7：在你的开发板通过串口连接上来时的串口号。8：开始刷入。9：等下方的进度条完成后就行了测试打开通讯猫在第二步的时候一定要选好波特率，就是传输速度，不然会出现发送或者接收失败的情况，默认的是图中的波特率，如果此波特率在6、7步不能有正确的返回的时候，可以尝试更改波特率进行重新连接端口，发送数据，直到数据正常返回否则就得重新刷固件了。如果有正常的返回，那就认为是刷固件成功了。AT指令可以在乐鑫官网下载AT指令说明文档，不在此处赘述了乐鑫8266文档

8266 NodeMCU 学习--知识储备一 电路图疑问VCC-VDD:1.符号解读:1)vdd,英文全称为Virtual Device Driver(虚拟设备驱动)或Voltage Drain Drain(漏极电源电压),用作虚拟设备驱动时,可以看作为某一芯片内部的工作电压;用作漏极电源电压时,是指用于MOS晶体管电路,一般是指正电源;2)vcc,英文全称为Voltage To Current Converter(电路电压)或Voltage Collector Collector (集电极电源电压),用作电路电压时,表示接入电路的电压;用作集电极电源电压,一般用于双极性晶体管,是晶体管的正电源;此外,vcc中的c还可以解读为circuit(电路),同样表示电路电压;2.在电路中的解读:1)数字电路中,vdd表示芯片的内部工作电压;vcc表示电路的供电电压;2)一般地,vdd表示数字电源,vcc表示模拟电源;3)一般来说,vcc表示给外设和内部电路系统(包含所有器件),而vdd往往仅表示某一器件的供电电压,所以,vcc总是大于vdd;4)对于既有vcc又有vdd的芯片,表明该芯片具有电压转换功能,常见的有电源管理模块中的升压或降压芯片;3.常见的vcc和vdd电压:1)对于一般芯片电源,vdd常为3V,1.8V,1.5V等;2)对于普通电路电源,vcc常为12V,5V,3.3V等;--复制于百度百科ADC（不是辅助，也不是上单，更不是中单）ADC，有时候也称AD，是模数转换器（Analog Digital Converter）的英文缩写。ADC（analog to digital converter）的转换过程ADC的基本转换原理分为四个过程：①抗混叠滤波（Anti-aliasing），可以理解为一个低通滤波器②采样保持电路（Sample and hold）③量化（Quantizer）④编码（Coder）采样保持所谓采样就是将一个时间上连续变化的模拟量转化为时间上离散变化的模拟量。将采样结果储存起来，直到下次采样，这个过程叫作保持。量化和编码模拟信号通过ADC转换成数字信号的这一过程称为量化，由于量化输出的数字信号位数有限，所以输出的数字信号和你采样得到的模拟信号会有一个误差，被称为量化误差,对于一个N位ADC来说，假设其满量程电压为Vref，Vref被ADC分为2N个区间，区间宽度用LSB（last significant bit）表示LSB=Vref/2N。例如：Vref=8V，ADC为3位，LSB=1，所以每个区间为1V，000代表电压0≤V＜1001代表电压1≤V＜2010代表电压2≤V＜3011代表电压3≤V＜4100代表电压4≤V＜5101代表电压5≤V＜6110代表电压6≤V＜7111代表电压7≤V＜8 此ADC的分辨率为1V 电路图展示：

认识三极管 简介三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号"β"表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。地位：分类：广义上，三极管有多种，常见如下图所示。狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。本文所述的是狭义三极管，它有很多别称： 三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。三极管核心结构核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！NPN型三极管结构示意图硅NPN型三极管的制造流程管芯结构切面图 工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。三极管电路符号三极管电流控制原理示意图 三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。集/基/射电流关系：IE = IB + ICIC = β * IB如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0三极管特性曲线输入特性曲线集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。 UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；UBE<uber时，三极管高绝缘，ube>UBER时，三极管才会启动；</uber时，三极管高绝缘，ube>UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。输出特性曲线基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开;当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。三极管核心功能：放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。开关功能：以小电流控制大电流的通断。三极管的放大功能IC = β * IB （其中β≈ 10~400 ）例：当基极通电流IB=50μA时，集极电流：IC=βIB=120*50μA=6000μA微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。能放大多少？哪要看三极管的放大倍数β值了！首先β由三极管的材料和工艺结构决定：如硅三极管β值常用范围为：30~200锗三极管β值常用范围为：30~100β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。其次β会受信号频率和电流大小影响：信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。三极管主要性能参数三极管性能参数较多，有直流、交流和极限参数之分：温度对三极管性能的影响温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。（1）对放大倍数β的影响：在基极输入电流IB不变的情况下，集极电流IC会因温度上升而急剧增大。（2）对反向饱和电流（漏电流）ICEO的影响：ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。（3）对发射结电压 UBE的影响：温度上升1℃，UBE将下降约2.2mV。温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。三极管的分类三极管命名标识不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同。还有很多厂家使用自己的命名方式。中国大陆三极管命名方式例：3DD12X NPN型低频大功率硅三极管日本三极管型号命名方式例：2SC1895 高频NPN型三极管美国电子工业协会（EIA）三极管命名方式例：JANS2N2904 宇航级三极管欧洲三极管命名方式例：BC208A 硅材料低频小功率三极管三极管封装及管脚排列方式关于封装：三极管设计额定功率越大，其体积就越大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。当前，塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。关于管脚排列：不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的，一般地，有以上规律：规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；规律二：对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边；基极 — B 集电极 — C 发射极 — E三极管的选用原则考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。集极电流IC:IC < 2 / 3 * ICMICM 集极最大允许电流当 IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。集极功率PW:PW < 2 / 3 * PCMPCM集极最大允许功率。当PW > PCM 三极管将烧坏。集-射反向电压UCE:UCE < 2 / 3 * UBVCEOUBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。工作频率ƒ：ƒ = 15% * ƒTƒT — 特征频率随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。

三极管常见电路汇总 关于三极管的应用电路有很多，今天就汇总一下比较典型的三极管电路，对比一起区别点以及对应的应用场合。1.下图是最简单的三极管放大电路了。VCC 是集电极电源，VBB 是施加到基极的电压，基极和集电极都串联了限流电阻：Rb 和 Rc。这种电路连接方式对于低侧驱动负载是非常常见的。2.下图的三极管电路增加了发射极电阻。这个电阻可以用来设置发射极电压，这对于工作与放大区的三极管来说是很常见的，这个电路有负反馈的作用，比如当流过集电极的电流增大时，Re上的压降就会增大，从而Rb上的电压会降低，基极的电流也会降低，那么集电极的电流会对应降低，最终实现了负反馈动态调节。3.下面的电路图和第一个电路图基本相同，只是增加了电阻器 Rb1。实际上Rb1 在实际应用中非常重要，因为当三极管基极没有电压输入时，Rb1的存在可以确保基极是接地的，因此，这样做可以防止噪声误导通NPN晶体管。4.下图和第三个电路图基本相同，区别在于在发射极中加了一个电阻Re。这个电阻就是为了设置发射极电压。通过添加 Re 可以很容易地将 NPN 晶体管的配置到放大区工作。5.下面的电路图其实就是把基极驱动电压由VBB改成了VCC的分压，这样一个电源就能搞定三极管放大电路静态工作点的配置。需要注意的是电容 C1 和 C2 别弄混了，当我们对三极管放大电路进行DC 分析时，这些电容被视为开路，这样便于分析静态工作点，方便我们确认三极管是否工作在放大区，同时电容还能隔直通交，从过在Cin施加小信号，我们便能完成对小信号的放大以及输出。转载自：https://www.elecfans.com/d/1825277.html